新型IGBT并聯(lián)大功率加熱設(shè)備
新型IGBT并聯(lián)大功率加熱設(shè)備
優(yōu)點(diǎn)及性能有：
1、耗電?。阂话爿^可控硅中頻設(shè)備節(jié)電10%-20%左右。
2、保護(hù)全：具有過電壓、缺水、過流、過熱、缺相等聲光報(bào)警系統(tǒng)。
3、應(yīng)用范圍：直徑200mm以下各種棒料的回火、鍛造、擠壓等。
新型IGBT并聯(lián)大功率加熱設(shè)備的技術(shù)參數(shù)：
型號(hào)/項(xiàng)目 | 輸入電壓(V) | 輸出功率(KW) | 震蕩頻率(KHZ) | 冷卻水量(T/H) | 冷卻水(MPA) |
IGBT100KW/4-10KHZ | 3-380 | 100 | 4-10 | 3 | 0.2-0.3 |
IGBT160KW/4-10KHZ | 3-380 | 160 | 4-10 | 4 | 0.2-0.3 |
IGBT200KW/4-10KHZ | 3-380 | 200 | 4-10 | 5 | 0.2-0.3 |
IGBT250KW/4-10KHZ | 3-380 | 250 | 4-10 | 6 | 0.2-0.3 |
IGBT350KW/4-10KHZ | 3-380 | 300 | 4-10 | 8 | 0.2-0.3 |
IGBT400KW/4-10KHZ | 3-380 | 400 | 4-10 | 12 | 0.2-0.3 |
IGBT500KW/4-10KHZ | 3-380 | 500 | 4-10 | 15 | 0.2-0.3 |
新型IGBT并聯(lián)大功率加熱設(shè)備 2018-7-30
